К 2015 году медные переходные отверстия для обеспечения электрической проводимости, соединяющие поверхность кремниевой пластины, не смогут функционировать привычным образом. Это предусмотрено международным планом по развитию полупроводниковой технологии.
В Калифорнийском университете в Санта-Барбаре, США, уже нашли альтернативу существующим стандартам.
Они предложили использовать в будущем “бесшовные” интегральные схемы, в которых транзисторы и соединительные элементы вырезаются на цельном графеновом листе.
Главной отличительной особенностью нового дизайна от американских исследователей является то, что каждая частица интегральной схемы исполнена из графена.
Схемы из графена придут на смену существующему стандарту
Ширина запрещённой зоны графена может быть отрегулирована, благодаря литографии. Проще говоря, инженеры могут придать узким полоскам графена полупроводниковые свойства, а широким – металлические.
Исследователи отмечают, что графеновые интегральные схемы могут превзойти по статическим характеристикам 22-нм комплементарный металл-оксид-полупроводник.
Дизайн интегральной схемы из графена может в скором времени заручиться поддержкой гигантов из полупроводниковой индустрии, и графеновые процессоры больше не будут чем-то из области невозможного.