Физики из Калифорнийского университета, США, объявили об успешных испытаниях нового лазера на квантовых точках арсенида индия. Лазер позволит, наконец, всерьёз задуматься о развитии фотоники – преобразования света в электричество, и наоборот.
Кристаллы для лазера были выращены на кремнии с применением метода молекулярной эпитаксии. При этом процессе кристаллы выращиваются послойно, один над другим, причём, ориентация верхнего определяется нижним.
Таким образом, все будущие разработки, созданные при помощи нового лазера, будут отлично совмещаться со всей уже существующей кремниевой электроникой.
Главным преимуществом нового метода является то, что он позволяет использовать современное крупномасштабное кремниевое производство и добиваться снижения себестоимости.
Благодаря малому размеру новый лазер потребляет меньше энергии, чем традиционно используемые для коммуникаций лазеры на квантоворазмерной структуре.
Отметим, что физики из Чехии работают над проектом High-Repetition-Rate Advanced Petawatt Laser System (HAPLS), который представляет собой лазер крайне высокой мощности.
Лазер создаётся в лаборатории Extreme Light Infrastructure Beamlines, которая специализируется на лазерных технологиях, и получает финансирование от Евросоюза.