Новый чип памяти, разработанный южнокорейской компанией Samsung, LPDDR4 DRAM, может похвастаться рекордной для своей категории ёмкостью в 8 Гб.
По словам представителей корпорации, Samsung – первая в отрасли сумела разработать мобильный чип памяти LPDDR4 DRAM ёмкостью 8 Гб. Чип был изготовлен по нормам технологического процесса 20-нанометрового класса.
Один кристалл чипа обладает ёмкостью 1 Гб, что является рекордом для своего класса. Объединив четыре таких чипа, можно создавать модули памяти для мобильных устройств объёмом 4 Гб.
Кроме того, интерфейс LPDDR4 обеспечивает прирост производительности на уровне 50% по сравнению с широко распространённым в настоящее время интерфейсом LPDDR3.
При этом Samsung отмечает снижение энергопотребления, примерно, на 40% при рабочем напряжении питания 1,1 В. Кроме того, в новинке применяется интерфейс ввода-вывода LVSTL. Он обеспечивает скорость передачи данных для каждого соединения 3200 Мб/с.
Такой показатель в два раза превосходит возможности массовых продуктов LPDDR3 DRAM, которые изготавливаются по сопоставимым технологическим процессам 20-нанометрового класса.
Отметим, что новые чипы памяти ориентированы, в первую очередь, на мобильные устройства: смартфоны, планшеты и ноутбуки с большими дисплеями. Появление этих чипов в продаже ожидается в 2014 году.