Корейская компания приступила к производству первых в мировой индустрии 3D чипов памяти.
Samsung объявил о начале производства новых чипов NAND памяти ёмкостью в 16 Гбайт. В них впервые будет применена технология объёмного размещения ячеек – 3D V-NAND, которая призвана решить проблему невозможности дальнейшего увеличения ёмкости носителя.
Суть проблемы состоит в том, что при современной технологии производства NAND-памяти используется планарная схема размещения ячеек, то есть, двумерная.
До сих пор повышение ёмкости чипов достигалось за счёт уменьшения техпроцесса, но при достижении отметки в 10 нм проявляется явление интерференции сигнала, а следовательно, слишком высокая угроза потери или повреждения данных.
Новая технология решает проблему увеличения ёмкости одного чипа
Новая же технология заключается в том, что ячейки размещаются не по планарной схеме, а в трёх измерениях относительно друг друга. Это позволяет, в теории, при неизменном техпроцессе увеличивать ёмкость одного чипа в 24 раза.
В Samsung утверждают, что разработанная ими технология производства 3D V-NAND чипов позволит добиться восьмикратного прироста ёмкости. Благодаря разработке в обычный ноутбук можно будет установить SSD-диск ёмкостью не 128 Гбайт, а 1 Тбайт.
Также новые модули памяти позволяют повысить скорость чтения/записи данных практически в два раза.