Samsung запустила в производство чипы памяти DDR3 ёмкостью 4 ГБ

Южнокорейская компания Samsung начала серийное производство новых чипов памяти DDR3 ёмкостью 4 ГБ.

При создании чипов DDR3 DRAM была использована литография с применением эксимерных лазеров на фториде аргона, работающих в диапазоне жесткого ультрафиолета.

Именно такие технологии производства позволяют создавать 4 ГБ чипы памяти на основе 20-нанометрового техпроцесса. Ожидается, что новые решения будут использоваться в широком диапазоне вычислительных решений.

В процессе производства чипов памяти DDR3 на основе 20-нм техпроцесса были успешно созданы однородные ультратонкие диэлектрические слоя клеточных конденсаторов, что привело к значительному увеличению производительности каждой ячейки.

Представители Samsung отмечают, что эффективность производства повысилась на 30% по сравнению с выпуском предыдущего поколения чипов памяти DDR3 на основе 25-нанометрового техпроцесса.

Планируется, что новые чипы станут основой для следующего поколения DRAM продуктов 10-нанометрового класса.

При этом, новые 4 ГБ чипы памяти DDR3 позволяют экономить до 25% потребляемой энергии по сравнению с равноценными чипами памяти, созданными на основе 25-нанометрового техпроцесса.

Читайте также:

Найкращі wearables гаджети за 2019 рік — загальне становище індустрії. Частина 1

Битва флагманів: Samsung Galaxy Note 10 Plus vs. iPhone XS Max

Експерти не радять заряджати телефон до 100%, виробники — не мають нічого проти

5 технологічних трендів, що будуть панувати у 2019 році