Южнокорейская компания Samsung начала серийное производство новых чипов памяти DDR3 ёмкостью 4 ГБ.
При создании чипов DDR3 DRAM была использована литография с применением эксимерных лазеров на фториде аргона, работающих в диапазоне жесткого ультрафиолета.
Именно такие технологии производства позволяют создавать 4 ГБ чипы памяти на основе 20-нанометрового техпроцесса. Ожидается, что новые решения будут использоваться в широком диапазоне вычислительных решений.
В процессе производства чипов памяти DDR3 на основе 20-нм техпроцесса были успешно созданы однородные ультратонкие диэлектрические слоя клеточных конденсаторов, что привело к значительному увеличению производительности каждой ячейки.
Представители Samsung отмечают, что эффективность производства повысилась на 30% по сравнению с выпуском предыдущего поколения чипов памяти DDR3 на основе 25-нанометрового техпроцесса.
Планируется, что новые чипы станут основой для следующего поколения DRAM продуктов 10-нанометрового класса.
При этом, новые 4 ГБ чипы памяти DDR3 позволяют экономить до 25% потребляемой энергии по сравнению с равноценными чипами памяти, созданными на основе 25-нанометрового техпроцесса.