Корпорация Samsung объявила о запуске в массовое производство первых в индустрии 256-гигабитных трёхмерных флеш-микросхем V-NAND.
Впервые в производстве используется 48-слойная структура, что позволяет хранить 3 бита информации в одной ячейке.
Представленные микросхемы V-NAND третьего поколения с объёмом 256ГБ позволят удвоить максимальный объём при сохранении текущего количества чипов в диске, или же в 2 раза уменьшить количество чипов для достижения аналогичного объёма конечного SSD.
Кроме того, новые микросхемы отличают 30%-ным сокращением энергопотребления и на 40% быстрее работают по сравнению с 32-слойными чипами V-NAND второго поколения.
Использоваться данные микросхемы будут не только в пользовательских твердотельных дисках, но и в серверных SSD с интерфейсом NVMe и SAS.
Ранее Samsung анонсировал первые в индустрии мобильные процессоры с 10-нм топологией. Технология позволяет получить до 20% более высокую производительность и снизить потребление энергии до 35%.
Тем временем, американцы создали действующую микросхему толщиной в 3 атома.