Samsung начнёт производить трёхмерные твердотельные накопители на 256ГБ

Корпорация Samsung объявила о запуске в массовое производство первых в индустрии 256-гигабитных трёхмерных флеш-микросхем V-NAND.

Впервые в производстве используется 48-слойная структура, что позволяет хранить 3 бита информации в одной ячейке.

Представленные микросхемы V-NAND третьего поколения с объёмом 256ГБ позволят удвоить максимальный объём при сохранении текущего количества чипов в диске, или же в 2 раза уменьшить количество чипов для достижения аналогичного объёма конечного SSD.

48_Main

Кроме того, новые микросхемы отличают 30%-ным сокращением энергопотребления и на 40% быстрее работают по сравнению с 32-слойными чипами V-NAND второго поколения.

Использоваться данные микросхемы будут не только в пользовательских твердотельных дисках, но и в серверных SSD с интерфейсом NVMe и SAS.

Ранее Samsung анонсировал первые в индустрии мобильные процессоры с 10-нм топологией. Технология позволяет получить до 20% более высокую производительность и снизить потребление энергии до 35%.

Тем временем, американцы создали действующую микросхему толщиной в 3 атома.

Читайте также:

Найкращі wearables гаджети за 2019 рік — загальне становище індустрії. Частина 1

Битва флагманів: Samsung Galaxy Note 10 Plus vs. iPhone XS Max

Експерти не радять заряджати телефон до 100%, виробники — не мають нічого проти

5 технологічних трендів, що будуть панувати у 2019 році