Молодая компания Crossbar уже сейчас планирует приступить к производству новых чипов энергонезависимой памяти RRAM.
В основе новинки лежит разновидность резистивной памяти с произвольным доступом (Resistive Random Access Memory). Новые чипы будут иметь площадь порядка 200 мм.кв., и способность вмещать информацию объёмом до 1 Тбайта.
Ячейки данного типа памяти состоят из трёх элементов: неметаллического электрода, промежуточного слоя из аморфного кремния и металлического электрода.
При подаче напряжения на такую ячейку между электродами возникает состояние низкой проводимости и превращает промежуточный слой в проводник. В итоге, ячейка меняет свой состояние, а чтобы вернуть его к исходному достаточно вновь подать напряжение, но уже с другой полярностью.
Физический размер ячейки RRAM значительно меньше современной NAND
Основное преимущество нового типа памяти состоит в том, что для переключения состояния ячеек не нужно использовать слишком высокое напряжение.
Это значит, что с эффектом “пробоя” можно не сталкиваться ещё долгое время, уменьшая техпроцесс производства. Также, благодаря этому, можно создавать многомерные ячейки, не зависящие друг от друга.
Кроме значительно увеличившейся ёмкости новые чипы предлагают и значительно более высокую скорость записи, по сравнению с существующими чипами, вплоть до 20 раз превышающую показатели современных NAND носителей.