Американцы синтезировали сложные оксиды для создания идеальной памяти

Учёные Городского Колледжа Нью-Йорка, США, синтезировали сложные оксиды, обладающие магнитными и ферроэлектрическими свойствами. Благодаря такому сочетанию в одном материале инженеры могут использовать оксиды для создания инновационной компьютерной памяти.

Для получения сложных оксидов из бария, титана и марганца исследователи воспользовались последними достижениями в технологиях неорганического синтеза. Другие подробности экспериментов пока что не разглашаются.

Комбинация магнитных и ферроэлектрических элементов с достаточно сильным взаимодействием между ними при комнатной температуре чрезвычайно важна для разработчиков компьютерной памяти.

Материал с такими свойствами может положить начало целому поколению сверхминиатюрных устройств со значительно большей вместимостью, чем могут дать современные флеш-технологии.

Тем временем, исследователи Массачусетского университета технологий, США, разработали материал, способный изменять своё состояние. Один и тот же материал может быть мягким или жёстким в зависимости от необходимости.

Предполагается, что в первую очередь он будет применяться в робототехнике. В основе материала – воск и пеноматериал.

Читайте также:

Коронавірус: вплив на китайську та глобальну економіку

Десятилетие пьяных смс

Мифы о бесплатной доставке

10 бизнес-трендов, которые стали знаковыми для 2010-ых