Новый накопитель памяти от HGST обещает ускорение примерно в 67 раз

Компания HGST, являющаяся подразделением Western Digital, создала прототип SSD-накопителя, который основан на памяти с изменением фазы.

Предполагается, что новое решение придёт на замену стандартной флеш-памяти типа NAND, который имеет ряд определённых ограничений.

Новый накопитель демонстрирует производительность 3 млн операций случайного чтения в секунду и задержку при чтении с произвольным доступом всего 1,5 микросекунды.

Отметим, что у обычной флеш-памяти задержка при чтении с произвольным доступом составляет около 100 микросекунд. Таким образом, новый тип памяти обещает ускорение примерно в 67 раз.

HGST уже опубликовала всю техническую документацию, описывающую, как нужно модернизировать шину PCI Express для поддержки нового типа памяти с высокоскоростным доступом.

После усовершенствования производительность шины может увеличиться с 13 тысяч IOPS до 700 тысяч IOPS.

Предполагается, что первые прототипы нового типа памяти начнут изготавливать в 2016 году, а массовое производство стартует примерно в 2020 году.

Американские исследователи смогли разместить терабайт оперативной памяти на RRAM-чипе размером с почтовую марку.