Компании Intel и Micron представили энергонезависимую память 3D Xpoint. Корпорация Intel позиционирует её как первую разработку действительно нового класса.
Память 3D Xpoint в 1 тыс. раз быстрее памяти NAND, при этом она в 1 тыс. раз долговечнее, и в 10 раз превосходит по плотности обычную память DRAM.
Новая разработка, в первую очередь, предназначена для систем, работающих с большими объёмами информации – центров обработки данных. Тем не менее, в перспективе 3D Xpoint доберётся и до потребительского сегмента.
Архитектура для новой памяти была разработана с нуля, полностью без использования транзисторов. В основе 3D Xpoint лежит своеобразная «шахматная доска», в которой ячейки памяти располагаются на пересечении разрядной шины и числовой шины.
Такое технологическое решение позволяет считывать и записывать данные небольшими объёмами, что повышает эффективность работы памяти. Кроме того, архитектура 3D Xpoint позволяет реализовать многослойную структуру, что повышает её плотность.
Первое поколение позволяет создавать микросхемы плотностью 128 Гбит, включающие в себя два слоя по 64 Гбит. Технология будет продолжать совершенствоваться.
Производство 3D Xpoint стартует уже в 2016 году. Первые устройства на базе данной технологии поступят на рынок в начале 2017 года – ожидается, что это будут продукты для серверного сегмента.
Ранее в 2015 году корпорация Intel представила мобильные процессоры Core пятого поколения, известные под кодовым названием Broadwell.