Производитель модулей памяти из Южной Кореи компания SK Hynix анонсировала новейшую оперативную память на 128 ГБ.
Новинка относится к типу DDR4 и разработана по технологии Through Silicon Via (TSV), что позволяет существенно улучшить скорость и эффективность работы чипа.
Производитель уверяет, что модуль на 128 ГБ оперативной памяти достигает скорость в 2 133 Мбит в секунду. Этот показатель почти в 2 раза превышает стандарт предыдущего поколения DDR3, который достигал 1 333 Мбит в секунду.
Кроме того, по заверениям SK Hynix, новые чипы будут потреблять значительно меньше энергии, так как поддерживают работу при пониженном напряжении питания: 1,2 вольта против 1,35 вольта у предшественника.
По предварительным данным, массовое производство памяти DDR4 объёмом в 128 ГБ стартует уже в начале 2015 года. В компьютеры и ноутбуки новый модуль памяти начнут встраивать летом того же года.
Всем, кто захочет серьёзно усилить свой компьютер за счёт нового чипа, придётся раскошелиться на, минимум, $3 тысячи – точная стоимость памяти ещё уточняется.
Тем временем, польский производитель электроники направляет на рынок серию модулей памяти GOODRAM LEDLIGHT – их отличительной особенностью является охлаждающий радиатор с подсветкой.